收藏本站
CPH3455
3.0
ID -- VDS
4.0
ID -- VGS
VDS=10V
2.5
2.0
1.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.0
0.5
VGS=3.0V
1.5
1.0
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
300
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16442
Ta=25°C
300
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16443
270
240
270
240
0.75
, I D=
=4V
=0.7
=4.5
10V, I D
210
180
150
120
90
60
ID=0.75A
1.5A
210
180
150
120
90
60
VGS
VGS
V GS=
V, I D
A
5A
=1.5A
30
30
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT16444
VDS=10V
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16445
VGS=0V
5
3
2
3
2
1.0
7
1.0
7
Ta
=
--2
5 ° C
75 °
C
5
3
2
° C
5
3
2
25
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
7
5
VDD=15V
VGS=10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16446
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16447
f=1MHz
3
3
2
10
7
5
3
2
tf
tr
td(on)
2
100
7
5
3
2
Ciss
Coss
Crss
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Drain Current, ID -- A
IT16448
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16449
No.8737-3/6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
CPH3456-TL-H MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3
CPH3457-TL-H MOSFET N-CH 30V 3A CPH3
CPH5617-TL-E MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5
CPH5871-TL-H MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5
CPH6337-TL-E MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
CPH6341-TL-E MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
CPH6347-TL-H MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
CPH6350-TL-E MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
相关代理商/技术参数
CPH3455-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:35V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:104 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:186pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1
CPH3456 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device
CPH3456_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH3456-TL-H 功能描述:MOSFET DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CPH3456-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:71 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:260pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
CPH3457 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH3457_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH3457-TL-H 功能描述:MOSFET HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube